Da hier ja öfters nach Bauteilen für Konstantstromquellen gefragt wird dachte ich mir man kann ja mal ein Thema dazu erstellen und eine Liste beginnen die (so meine Hoffnung) immer mal wieder ergänzt wird. Dabei sollte die Lister durch Kopieren immer fortgeführt werden und ruhig mit Erfahrungen die es dazu gibt ergänzt werden. Also versuche ich mal einen Anfang:
Treiber für boost/flyback-converter (externer FET):
MCP1650 (1s Li-Akku, bis ca. 10W)
UC3845 (ab 3s Li, dutycycle nur bis 50%!)
UCC3803(gibt es als 3800-3805 für Spannungen ab 5V und mit 50% bzw 100% dutycycle, 1A Gatestrom)
Treiber für buck-converter:
l6726A (2s bis 4s(Vb aber nur 12V), 270 kHz Vollbrückentreiber für hohe Leistungen und höchste Effizienz!)
Universal PWM-Treiber:
SG3525
TL494
Brückentreiber:
IR2011 (Halbbrücke, 200V 1A, getrennter Hin und Lin)
IR2104 (Halbbrücke, 600V 0,17A/0,27A)
IR2184 (Halbbrücke, 600V 1,4A/1,8A)
HIP2100 (Halbbrücke 100V 2A sauschnell)
HIP4080 (Vollbrücke 2,5A 80V, sauschnell)
Oszillatoren mit integriertem Treiber (für Inverter in Netzteilen oder HID-ballst):
IR2086 (100V Vollbrücke, 1,2A für Netzteile bis 1 kW)
IRS2453 (600V Vollbrücke für HID-Inverter)
low-side-treiber:
MCP1416/1415 (4,5 bis 18V 1,5A im SOT23-5 - perfekter Treiber für uC-LED-KSQs)
IXDD414 (14A-Treiber für richtig dicke Mosfet)
Mosfet:
vor Beginn einer Liste lieber der Hinweis auf die wichtigen Parameter:
P-Kanal oder n-Kanal; ich arbeite ausschleißlich mit N-Kanal da die Schaltverluste von P-Kanal Fets weitaus höher sind.
Vdss(Sperrspannung): so hoch wie nötig aber so klein wie möglich, immer mindestens 20% Reserve!
Rds(on) (Einschaltwiderstand): Immer schauen das auch die Gatespannung passt! Gerade bei 1s/2s-Betrieb kann das eng werden, manche kleinen FETs vetragen wiederum nur 8V Gatespannung.
Der Rds(on) sollte natürlich so klein wie möglich sein, aber extrem wichtig ist dabei niemals Gateladung und Kapazität im Auge zu behalten! Es gilt die Regel das die rein aus dem Rds(on) berechneten Verluste im Fet etwa 1-2% im Wirkungsgrad ausmachen können. Das ist wenig genug, bei "dickeren" Fets überwiegen meist die Schaltverluste!
Id (Drainstrom): Sollte bei Tc von 100°C noch rund 2 mal so hoch wie der berechnete Maximalstrom sein. Auch hier gilt viel hilft nicht viel! Bei dicken FETs steigen die Schaltverluste oder man braucht dicke Treiber und verheizt schon 1W nur im Treiber.
td(on),td(off),tr,tf: alles sollte für kleinere Mosfet deutlich unter 100ns liegen, gerade bei Brücken sollte td(off)+tf kleiner sein als td(on)+tr bzw. die Ausschaltzeit nur um wenige 10 ns länger sein (wird durch die deadtime ausgeglichen).
Ciss (Eingangskapazität): Je größer desto mehr Verluste im Treiber. Für Treiber <=1A sollte der Wert unter 1 nF liegen.
Qg(total) (Gateladung): siehe Kapazität. Werte unter 100nC sind brauchbar, darüber braucht es dicke Treiber um schnell zu sein.
Das sind die wichtigsten Parameter zur selektion für Schaltungen aller Art. Noch etwas zur Verlustleistung: Ohne Kühlkörper sollte man einem TO220 nicht mehr als 1W genehmigen, ein DPAK ohne Große Leisterbahnen verträgt rund 0,5W. Und dann muß man auch schon mit 70°C rechnen!
Gruß
Thomas
Treiber für boost/flyback-converter (externer FET):
MCP1650 (1s Li-Akku, bis ca. 10W)
UC3845 (ab 3s Li, dutycycle nur bis 50%!)
UCC3803(gibt es als 3800-3805 für Spannungen ab 5V und mit 50% bzw 100% dutycycle, 1A Gatestrom)
Treiber für buck-converter:
l6726A (2s bis 4s(Vb aber nur 12V), 270 kHz Vollbrückentreiber für hohe Leistungen und höchste Effizienz!)
Universal PWM-Treiber:
SG3525
TL494
Brückentreiber:
IR2011 (Halbbrücke, 200V 1A, getrennter Hin und Lin)
IR2104 (Halbbrücke, 600V 0,17A/0,27A)
IR2184 (Halbbrücke, 600V 1,4A/1,8A)
HIP2100 (Halbbrücke 100V 2A sauschnell)
HIP4080 (Vollbrücke 2,5A 80V, sauschnell)
Oszillatoren mit integriertem Treiber (für Inverter in Netzteilen oder HID-ballst):
IR2086 (100V Vollbrücke, 1,2A für Netzteile bis 1 kW)
IRS2453 (600V Vollbrücke für HID-Inverter)
low-side-treiber:
MCP1416/1415 (4,5 bis 18V 1,5A im SOT23-5 - perfekter Treiber für uC-LED-KSQs)
IXDD414 (14A-Treiber für richtig dicke Mosfet)
Mosfet:
vor Beginn einer Liste lieber der Hinweis auf die wichtigen Parameter:
P-Kanal oder n-Kanal; ich arbeite ausschleißlich mit N-Kanal da die Schaltverluste von P-Kanal Fets weitaus höher sind.
Vdss(Sperrspannung): so hoch wie nötig aber so klein wie möglich, immer mindestens 20% Reserve!
Rds(on) (Einschaltwiderstand): Immer schauen das auch die Gatespannung passt! Gerade bei 1s/2s-Betrieb kann das eng werden, manche kleinen FETs vetragen wiederum nur 8V Gatespannung.
Der Rds(on) sollte natürlich so klein wie möglich sein, aber extrem wichtig ist dabei niemals Gateladung und Kapazität im Auge zu behalten! Es gilt die Regel das die rein aus dem Rds(on) berechneten Verluste im Fet etwa 1-2% im Wirkungsgrad ausmachen können. Das ist wenig genug, bei "dickeren" Fets überwiegen meist die Schaltverluste!
Id (Drainstrom): Sollte bei Tc von 100°C noch rund 2 mal so hoch wie der berechnete Maximalstrom sein. Auch hier gilt viel hilft nicht viel! Bei dicken FETs steigen die Schaltverluste oder man braucht dicke Treiber und verheizt schon 1W nur im Treiber.
td(on),td(off),tr,tf: alles sollte für kleinere Mosfet deutlich unter 100ns liegen, gerade bei Brücken sollte td(off)+tf kleiner sein als td(on)+tr bzw. die Ausschaltzeit nur um wenige 10 ns länger sein (wird durch die deadtime ausgeglichen).
Ciss (Eingangskapazität): Je größer desto mehr Verluste im Treiber. Für Treiber <=1A sollte der Wert unter 1 nF liegen.
Qg(total) (Gateladung): siehe Kapazität. Werte unter 100nC sind brauchbar, darüber braucht es dicke Treiber um schnell zu sein.
Das sind die wichtigsten Parameter zur selektion für Schaltungen aller Art. Noch etwas zur Verlustleistung: Ohne Kühlkörper sollte man einem TO220 nicht mehr als 1W genehmigen, ein DPAK ohne Große Leisterbahnen verträgt rund 0,5W. Und dann muß man auch schon mit 70°C rechnen!
Gruß
Thomas
